Diodes simples

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	Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Tension - CC inverse (Vr) (max.)	Courant - Moyen redressé (Io)	Tension - Directe (Vf) (max.) à If	Vitesse	Temps de recouvrement inverse (trr)	Courant - Fuite inverse à Vr	Capacité à Vr, F	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur	Température de fonctionnement - Jonction
	RB751S40_R1_00001 DIODE SCHOTTKY 30V 300MA SOD523 Panjit International Inc.	3 370 En stock	1 : 0,20000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 0,04152 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Schottky	30 V	300mA	370 mV @ 1 mA	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500 nA @ 30 V	3pF à 1V, 1MHz	Montage en surface	SC-79, SOD-523	SOD-523	-55°C ~ 125°C
	NHP220SFT3G DIODE STANDARD 200V 2A SOD123FL onsemi	73 552 En stock	1 : 0,75000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,14349 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Standard	200 V	2A	1.05 V @ 2 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	50 ns	500 nA @ 200 V	-	Montage en surface	SOD-123F	SOD-123FL	-65°C ~ 175°C

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Types de diodes de redressement

Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

Diodes Schottky (SBD)
Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

Redresseurs à super barrière (SBR)
Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

Diodes avalanche
Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.

Diodes en carbure de silicium (SiC)
Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.