
SQS966ENW-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQS966ENW-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerPAK® 1212-8W double |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,8nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 572pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 27,8W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier PowerPAK® 1212-8W double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8W double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 1,25A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,76000 $ | 2,76 $ |
| 10 | 1,75100 $ | 17,51 $ |
| 100 | 1,17170 $ | 117,17 $ |
| 500 | 0,92322 $ | 461,61 $ |
| 1 000 | 0,84328 $ | 843,28 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,74178 $ | 2 225,34 $ |
| 6 000 | 0,69070 $ | 4 144,20 $ |
| 9 000 | 0,66469 $ | 5 982,21 $ |
| 15 000 | 0,63546 $ | 9 531,90 $ |
| 21 000 | 0,63336 $ | 13 300,56 $ |

