
SQP120N10-09_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQP120N10-09_GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQP120N10-09_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQP120N10-09_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8645 pF @ 25 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,5mohms à 30A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT288L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT288L-ND | 1,46768 $ | Similaire |
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | 5,53000 $ | Similaire |
| IPP083N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP083N10N5AKSA1-ND | 1,39340 $ | Similaire |
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | 3 562 | 448-IRFB4410ZPBF-ND | 3,51000 $ | Similaire |
| TK34E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK34E10N1S1X-ND | 4,11000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,47000 $ | 6,47 $ |
| 50 | 3,28740 $ | 164,37 $ |
| 100 | 2,97960 $ | 297,96 $ |

