SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

SQ3481EV-T1_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Vishay Siliconix

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Prix unitaire : 0,27090 $

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SQ3481EV-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ3481EV-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ3481EV-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ3481EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ3481EV-T1_GE3
Description	MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 7,5 A (Tc) 4W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23.5 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 870 pF @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 4W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 43mohms à 5,3A, 10V	Numéro de produit de base SQ3481
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQ3481CEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ3481CEV-T1_GE3TR-ND	0,27090 $	Recommandation fabricant

Obsolète

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SQ3481EV-T1_GE3