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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG039N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG039N60EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG039N60EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 61 A (Tc) 357W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 126 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4323 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 357W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 32A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 23,92000 $ | Similaire |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 18,88000 $ | Similaire |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 16,65000 $ | Similaire |
En stock: 435
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 20,76000 $ | 20,76 $ |
| 10 | 14,47800 $ | 144,78 $ |
| 100 | 10,92960 $ | 1 092,96 $ |
| 500 | 9,58888 $ | 4 794,44 $ |
