Canal N 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
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SIHA12N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIHA12N60E-GE3TR-ND - Bande et bobine
742-SIHA12N60E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHA12N60E-GE3
Description
N-CHANNEL 600V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
17 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
58 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
937 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIHA12N60E-E3Vishay Siliconix814SIHA12N60E-E3-ND5,34000 $Équivalent paramétrique
SIHF12N60E-GE3Vishay Siliconix197742-SIHF12N60E-GE3-ND5,79000 $Équivalent paramétrique
TSM60NE285CIT C0GTaiwan Semiconductor Corporation2 0001801-TSM60NE285CITC0G-ND6,73000 $Similaire
En stock: 998
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
15,34000 $5,34 $
103,48100 $34,81 $
1002,41640 $241,64 $
5001,96162 $980,81 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,69676 $1 696,76 $
2 0001,58198 $3 163,96 $
3 0001,57088 $4 712,64 $
Conditionnement standard du fabricant