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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7998DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7998DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 25A, 30A 22W, 40W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7998DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 25A, 30A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 9,3mohms à 15A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1100pF à 15V | |
Puissance - Max. | 22W, 40W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
En stock: 5 887
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,19000 $ | 3,19 $ |
| 10 | 2,03700 $ | 20,37 $ |
| 100 | 1,38080 $ | 138,08 $ |
| 500 | 1,09978 $ | 549,89 $ |
| 1 000 | 1,04899 $ | 1 048,99 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,89477 $ | 2 684,31 $ |
| 6 000 | 0,85702 $ | 5 142,12 $ |
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