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SI7946ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7946ADP-T1-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7946ADP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 150V 7,7 A (Tc) 19,8W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7946ADP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,5nC à 7,5V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 230pF à 75V |
Conditionnement Bande et bobine | Puissance - Max. 19,8W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 150V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,7 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 186mohms à 3A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | 22 | SH8KA7GZETBCT-ND | 4,50000 $ | Similaire |
| SP8K52FRATB | Rohm Semiconductor | 0 | SP8K52FRATBCT-ND | 2,46000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 6 000 | 1,79349 $ | 10 760,94 $ |
