Canal P 20 V 10,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
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SI7123DN-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI7123DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SI7123DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI7123DN-T1-GE3
Description
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 10,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SI7123DN-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 4.5 V
Série
Vgs (max.)
±8V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3729 pF @ 10 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
1,5W (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Boîtier fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
10,6mohms à 15A, 4,5V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIS407ADN-T1-GE3Vishay Siliconix14 056SIS407ADN-T1-GE3CT-ND2,11000 $Similaire
AON7407Alpha & Omega Semiconductor Inc.145 553785-1306-1-ND1,60000 $Similaire
DMP2008UFG-13Diodes Incorporated5 864DMP2008UFG-13DICT-ND1,65000 $Similaire
DMP2008UFG-7Diodes Incorporated16 475DMP2008UFG-7DICT-ND1,65000 $Similaire
FDMC510Ponsemi4 736FDMC510PCT-ND4,79000 $Similaire
En stock: 929
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,46000 $2,46 $
101,55200 $15,52 $
1001,03260 $103,26 $
5000,80956 $404,78 $