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SI2307BDS-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI2307BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI2307BDS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2307BDS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2307BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2307BDS-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 2,5 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 380 pF @ 15 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 750mW (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 78mohms à 3,2A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3421E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 872 443 | 785-1459-1-ND | 0,75000 $ | Similaire |
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 7 602 | BSS308PEH6327XTSA1CT-ND | 0,69000 $ | Similaire |
| DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 50 274 | DMG2307L-7DICT-ND | 0,65000 $ | Similaire |
| DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 14 449 | DMP3098LDICT-ND | 0,80000 $ | Similaire |
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 2 208 | DMP3130LDICT-ND | 0,88000 $ | Similaire |
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