Name: TRS20H120H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS20H120HS1Q-ND
Price: 19.06 CAD
Availability: InStock

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TRS20H120H,S1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TRS20H120HS1Q-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS20H120H,S1Q
Description	DIODE SIL CARB 1200V 61A TO2472L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 61A Trou traversant TO-247-2L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	61A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.45 V @ 20 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	130 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	2070pF à 1V, 1MHz
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-247-2
Boîtier fournisseur	TO-247-2L
Température de fonctionnement - Jonction	175°C

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	19,06000 $	19,06 $
30	14,83900 $	445,17 $
120	14,48608 $	1 738,33 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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