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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SSM6L35FU(TE85L,F) | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SSM6L35FU(TE85LF)TR-ND - Bande et bobine SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND - Bande coupée (CT) SSM6L35FU(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6L35FU(TE85L,F) |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 180mA, 100mA 200mW Montage en surface US6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6L35FU(TE85L,F) Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 50mA, 4V |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9,5pF à 3V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 200mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,2V | Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur US6 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180mA, 100mA | Numéro de produit de base |
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Ressources supplémentaires
En stock: 2 750
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,69000 $ | 0,69 $ |
| 10 | 0,42500 $ | 4,25 $ |
| 100 | 0,26860 $ | 26,86 $ |
| 500 | 0,20076 $ | 100,38 $ |
| 1 000 | 0,17882 $ | 178,82 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,15092 $ | 452,76 $ |
| 6 000 | 0,13684 $ | 821,04 $ |
| 9 000 | 0,12966 $ | 1 166,94 $ |
| 15 000 | 0,12159 $ | 1 823,85 $ |
| 21 000 | 0,11681 $ | 2 453,01 $ |
| 30 000 | 0,11217 $ | 3 365,10 $ |
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