Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 1.39 CAD
Availability: InStock

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RS1G120MNTB
Numéro de produit DigiKey	RS1G120MNTBTR-ND - Bande et bobine RS1G120MNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1G120MNTB
Description	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 12 A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS1G120MNTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.4 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 16,2mohms à 12A, 10V	Numéro de produit de base RS1G