Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 5.25 CAD
Availability: InStock

Canal P 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montage en surface 8-HSON

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NP75P03YDG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP75P03YDG-E1-AY
Description	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montage en surface 8-HSON
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP75P03YDG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 141 nC @ 10 V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta), 138W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-HSON
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,2mohms à 37,5A, 10V	Boîtier 8-SMD, sortie plate, plot exposé
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base NP75P03