HIP6601BCBZ-T est obsolète et n'est plus fabriqué.
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onsemi
En stock: 13 375
Prix unitaire : 0,74000 $
Fiche technique
Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
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HIP6601BCBZ-T

Numéro de produit DigiKey
HIP6601BCBZ-T-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
HIP6601BCBZ-T
Description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Référence client
Description détaillée
Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
HIP6601BCBZ-T Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Tension - Alimentation
10,8V ~ 13,2V
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Type d'entrée
Sans inversion
Conditionnement
Bande et bobine
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
15 V
Statut du composant
Obsolète
Temps de montée / descente (typ.)
20ns, 20ns
Programmable DigiKey
Non vérifié
Température de fonctionnement
0°C ~ 125°C (TJ)
Configuration
Demi-pont
Type de montage
Montage en surface
Type de canal
Synchrone
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Nombre de circuits d'attaque
2
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Type de grille
MOSFET (canal N)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
NCP3420DR2Gonsemi13 375NCP3420DR2GOSCT-ND0,74000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.