Name: NCV51511PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 488-NCV51511PDR2GTR-ND
Price: 6.91 CAD
Availability: InStock

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NCV51511PDR2G
Numéro de produit DigiKey	488-NCV51511PDR2GTR-ND - Bande et bobine 488-NCV51511PDR2GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NCV51511PDR2GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NCV51511PDR2G
Description	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel ou bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC-EP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Haut potentiel ou bas potentiel
Type de canal	Synchrone
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	8V ~ 16V
Tension logique - VIL, VIH	2V, 1,8V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	3A, 6A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	100 V
Temps de montée / descente (typ.)	6ns, 4ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q100
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) plot exposé
Boîtier fournisseur	8-SOIC-EP
Numéro de produit de base	NCV51511