Name: FQT1N80TF-WS
Brand: onsemi
SKU: FQT1N80TF-WSTR-ND
Price: 2.28 CAD
Availability: InStock

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FQT1N80TF-WS
Numéro de produit DigiKey	FQT1N80TF-WSTR-ND - Bande et bobine FQT1N80TF-WSCT-ND - Bande coupée (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQT1N80TF-WS
Description	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQT1N80TF-WS Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	195 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-3
Boîtier	TO-261-3
Numéro de produit de base	FQT1N80