Name: PHB29N08T,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PHB29N08T,118TR-ND
Price: 2.96 CAD
Availability: InStock

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PHB29N08T,118
Numéro de produit DigiKey	1727-PHB29N08T,118TR-ND - Bande et bobine 1727-PHB29N08T,118CT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PHB29N08T,118DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PHB29N08T,118
Description	MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 27 A (Tc) 88W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 2mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 10 V
Série TrenchMOS™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 810 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 88W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 11V	Numéro de produit de base PHB29N08
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 14A, 11V