Name: DMTH4007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH4007LPS-13DITR-ND
Price: 2.12 CAD
Availability: OutOfStock

DMTH4007LPS-13 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 565

Prix unitaire : 2,50000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMTH4007LPS-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH4007LPS-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH4007LPS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH4007LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH4007LPS-13
Description	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 15,5 A (Ta), 100 A (Tc) 2,7W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMTH4007LPS-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15,5 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1895 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,7W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMTH4007