Name: DMN10H220LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN10H220LFDF-13TR-ND
Price: 0.12982 CAD
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN10H220LFDF-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN10H220LFDF-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN10H220LFDF-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 2,2 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	225mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	384 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (Type F)
Boîtier	6-UDFN plot exposé
Numéro de produit de base	DMN10