FET, MOSFET
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Lors du choix d'un MOSFET, il est important de faire correspondre ses caractéristiques électriques à votre application. Commencez par vérifier la tension drain-source (VDS) pour vous assurer qu'elle dépasse la tension la plus élevée que votre circuit va devoir gérer. Examinez ensuite la tension de seuil de grille (VGS(th)) : si vous utilisez un microcontrôleur (comme une logique de 3,3 V ou 5 V), vous aurez besoin d'un MOSFET de niveau logique qui s'active entièrement à ces tensions. Le courant nominal de drain continu (ID) doit être égal ou supérieur au courant consommé par la charge, tandis qu'une résistance à l'état passant (RDS(on)) plus faible contribue à minimiser la perte de chaleur et de puissance.
Il existe deux principaux types de MOSFET : à canal N et à canal P, chacun disponible en variantes à mode d'enrichissement et à mode de déplétion. Les MOSFET à canal N en mode d'enrichissement sont les plus couramment utilisés en raison de leur mobilité électronique plus élevée, ce qui entraîne une résistance à l'état passant plus faible et un meilleur rendement de commutation. Bien que les MOSFET et les BJT (transistors à jonctions bipolaires) fonctionnent tous deux comme des commutateurs ou des amplificateurs, les MOSFET sont des dispositifs contrôlés en tension, tandis que les BJT sont contrôlés en courant. Cela confère aux MOSFET un avantage significatif dans les applications à haute vitesse, à basse consommation et thermosensibles.